从表1中可以看出，2001年度测得的介损tgδ虽然没有明显变化，但低压绕组对高压绕组及地的电容量与历年数据比较，数值上相差2000pF多，明显下降，超出预防性试验电容量变化的 10。根据双绕组变压器的结构，画出变压器的主绝缘电容图，如图1所示。
C1——低压绕组对外壳的等效电容
C2——低压绕组与高压绕组之间的等效电容
C3——高压绕组对外壳的等效电容
分析如下：通常进行低压绕组—高压绕组对地试验，先短接高压绕组接地，然后短接低压绕组，接介质损耗测试仪，如图2所示。
假如进行低压绕组—高压绕组及地试验时，高压绕组悬空，不接地，就会出现如图3所示。
从上面公式可知，介损变化不是很明显，但是电容由于C2||C3，使得电容量明显减少。通过数据分析，认为是在试验过程中高压绕组没有接地引起电容量降低，为证实分析是否正确，重新进行接线，如图2所示。测得数据如表2所示。
测得数据与历年来的数据相比较，没有明显变化，说明了错误接线导致试验数据异常，因此在今后的工作中，应非凡注重试验接线，避免类似情况发生。
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